小山二三夫教授 2019年Nick Holonyak, Jr. Award受賞

小山二三夫教授 2019年Nick Holonyak, Jr. Award受賞

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小山二三夫教授(科学技術創成研究院長、未来産業技術研究所教授)が、米国光学会(OSA: The Optical Society)から、「2019年Nick Holonyak, Jr. Award」を受賞することが決まりました。

OSAは、光学・フォトニクス関連分野における最も権威のある世界最大規模の国際学会です。Nick Holonyak, Jr. Awardは、半導体技術の黎明期に初めて半導体による可視光の発光を成功させ”LEDの父”と呼ばれるNick Holonyak.Jr.博士を記念した国際賞で、光半導体デバイス・材料に関して顕著な貢献のあった個人を対象として毎年1名に授与されます。過去には半導体ヘテロ構造の発明で2000年ノーベル物理学賞のZhores Ivanovich Alferov博士や、青色発光ダイオードの開発で2014年ノーベル物理学賞の中村修二博士も受賞しています。国内では、東京大学の荒川泰彦博士についで、3人目の受賞です。小山二三夫教授は、業績として” For seminal contributions to VCSEL photonics and integration”が認められ、2019年受賞者に選出されました。

今回の受賞を受け、小山二三夫教授は次のようにコメントしています。

「面発光レーザは、本学の伊賀健一名誉教授が1977年に発明した半導体レーザで、近年、インターネットや携帯端末の普及により、データセンター内の大規模光インターコネクト、携帯端末での3D光センサ、自動運転用の光レーダーなど、その応用分野は多岐にわたり、IoTの進展により、国内外でさらに研究開発が加速され、市場規模も数千億円にまで拡大しています。今回の受賞は、恩師の末松安晴先生と伊賀健一先生のご指導と、これまでともに研究を進めてきた同僚の研究者、大学院学生など、多くの方々の貢献によるもので、深く感謝しています。この受賞を励みに、東工大の強みと伝統を活かして、今後も研究に邁進していきたいと思っています。」

贈呈式は、後日行われる予定です。

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