中村 友二

社会実装研究

Tomoji Nakamura中村 友二

特任教授

薄膜材料/半導体材料プロセスデバイス/多層配線LSI実装/LSI信頼性物理

研究プロジェクト

  • 薄膜材料とその界面構造を評価

    化合物半導体ヘテロ接合界面、高融点金属薄膜/Si基板界面等の異種材料の接合界面構造を、各種評価・分析手法により評価し、デバイス特性を改善(1984~1993)

  • 高融点金属シリサイドプロセスを開発

    0.35μm世代以降のCMOSロジック電極向けにTiシリサイド、Coシリサイドの界面固相反応と相変化を評価し、電気特性を改善(1993~1998)

  • 先端 LSIの多層配線材料・プロセス、高信頼化技術を開発

    0.18μm世代Cuダマシン配線の歩留りと信頼性を向上。ダマシン配線用Cuの物性評価、ストレスマイグレーション対策、低誘電率(k=2.3)ポーラスLow-k材料とCu配線とのインテグレーション(1998~2006)

  • 先端実装用材料・プロセスを開発

    種類の異なるLSIチップやアナログ・受動部品を擬似ウェハ化し配線接続する異種デバイス集積技術、薄化ウェハを積層する3次元LSI技術を開発(2007~2016)

1984

東京大学 工学博士

1984 - 1994

(株)富士通研究所 研究員

1994 - 1999

(株)富士通研究所 主任研究員

1999 - 2006

富士通研究所/富士通(株) 次世代LSI開発事業部  デバイス材料開発部長

2007 - 2013

(株)富士通研究所 基盤技術研究所長代理

2013 - 2016

(株)富士通研究所 基盤技術研究所 特任研究員

2016 -

東京工業大学 科学技術創成研究院 特任教授

2014

応用物理学会 フェロー
Advanced Metallization Conference Award 2013

2015

日本表面科学会 功績賞
エレクトロニクス実装学会 技術賞
日本表面科学会 会誌賞

2009

中村友二, 鈴木貴志 (2009) LSI多層配線の信頼性, 応用物理, Vol. 78, 873-877

2013

中村友二(2013)表面改質技術-現状と今後の展開, 応用物理,  Vol. 82, 376-384

2014

中村友二(2014)LSIの配線技術と表面科学, 表面科学, Vol. 35, 236-243 

2015

Tadahiro Imada, Tomoji Nakamura et al. (2015), Systematic investigation of silylation materials for recovery use of low- k material plasma damage, Jpn. J. Appl. Phys., 54, 071502.

2016

Aki Dote, Tomoji Nakamura et al.(2016), Analyzing and modeling methods for warpages of thin and large dies with redistribution layer, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 06JC03.

2017

Y. Mizushima, T. Nakamura et al. (2017), Behavior of copper contamination on backside damage for ultra-thin silicon three dimensional stacking structure, Microelectron. Eng. 167 23.