中村友二

プロフィール

1984 東京大学 工学博士
1984-1994 (株)富士通研究所 研究員
1994-1999 (株)富士通研究所 主任研究員
1999-2006 富士通研究所/富士通(株) 次世代LSI開発事業部  デバイス材料開発部長
2007-2013 (株)富士通研究所 基盤技術研究所長代理
2013-2016 (株)富士通研究所 基盤技術研究所 特任研究員     
2016-      東京工業大学 科学技術創成研究院 特任教授

専門分野

薄膜材料/半導体材料・プロセス・デバイス/多層配線・LSI実装/LSI信頼性物理

科学技術創成研究院未来産業技術研究所(IIR, Tokyo Tech) 特任教授
 nakamura.t.bh@m.titech.ac.jp

グループ名:社会実装研究国際ハブグループ

研究ハイライト

  • 薄膜材料とその界面構造を評価:化合物半導体ヘテロ接合界面、高融点金属薄膜/Si基板界面等の異種材料の接合界面構造を、各種評価・分析手法により評価し、デバイス特性を改善(1984~1993)
  • 高融点金属シリサイドプロセスを開発: 0.35μm世代以降のCMOSロジック電極向けにTiシリサイド、Coシリサイドの界面固相反応と相変化を評価し、電気特性を改善(1993~1998)

  • 先端 LSIの多層配線材料・プロセス、高信頼化技術を開発: 0.18μm世代Cuダマシン配線の歩留りと信頼性を向上。ダマシン配線用Cuの物性評価、ストレスマイグレーション対策、低誘電率(k=2.3)ポーラスLow-k材料とCu配線とのインテグレーション(1998~2006)

  • 先端実装用材料・プロセスを開発:種類の異なるLSIチップやアナログ・受動部品を擬似ウェハ化し配線接続する異種デバイス集積技術、薄化ウェハを積層する3次元LSI技術を開発(2007~2016)

主な受賞歴

  •  2014年 応用物理学会 フェロー

  •  2014年 Advanced Metallization Conference Award 2013

  •  2015年 日本表面科学会 功績賞

  • 2015年 エレクトロニクス実装学会 技術賞

  • 2015年 日本表面科学会 会誌賞

主な論文

  • Y. Mizushima, T. Nakamura et al. (2017), Behavior of copper contamination on backside damage for ultra-thin silicon three dimensional stacking structure, Microelectron. Eng. 167 23.

  • Aki Dote, Tomoji Nakamura et al.(2016), Analyzing and modeling methods for warpages of thin and large dies with redistribution layer, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 06JC03.

  • Tadahiro Imada, Tomoji Nakamura et al. (2015), Systematic investigation of silylation materials for recovery use of low- k material plasma damage, Jpn. J. Appl. Phys., 54, 071502.

  • 中村友二(2014)LSIの配線技術と表面科学, 表面科学, Vol. 35, 236-243 

  • 中村友二(2013)表面改質技術-現状と今後の展開, 応用物理,  Vol. 82, 376-384

  • 中村友二, 鈴木貴志 (2009) LSI多層配線の信頼性, 応用物理, Vol. 78, 873-877