神谷 利夫

プロフィール
1991-1996 東京工業大学工学部 助手
1996-1996 東京工業大学大学院総合理工学研究科 助手
1997-2002 東京工業大学大学応用セラミックス研究所 助手
2000-2002 英国ケンブリッジ大学キャベンディッシュ研究所 客員研究員
2002-2003 東京工業大学大学応用セラミックス研究所 講師
2003-2010 東京工業大学大学応用セラミックス研究所 准教授
2010-   東京工業大学大学応用セラミックス研究所 教授(現 科学技術創成研究院フロンティア材料研究所)
2012-  東京工業大学元素戦略研究センター 副センター長
2017-  東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所 所長

専門分野
材料科学 / デバイス / 計算材料科学

フロンティア材料研究所(IIR, Tokyo Tech)

 http://www.msl.titech.ac.jp/~tkamiya/
kamiya.t.aa@m.titech.ac.jp

グループ名:材料・デバイス研究国際ハブグループ

研究ハイライト

  • アモルファス酸化物半導体薄膜トランジスタの作製に世界で初めて成功 (2014.12)
  • アモルファス酸化物半導体薄膜トランジスタの第一原理計算、電子構造および欠陥の解明などを世界に先駆けて報告(2015~)
  • 室温形成可能な無機蛍光体薄膜を初めて実現 (2016.1)

ニュース

  • 2017年3月
    従来絶縁体しか報告されていなかったアモルファスGa2Oxの半導体化に成功した論文がNPG Asia Materialsに掲載されました。
  • 2017年1月
    新規アモルファス酸化物半導体を利用して低電圧動作を実現した逆転構造有機ELに関する論文がProceedings of the National Academy of Sciences of the United States of Americaに掲載されました
  • 2016年11月
    アモルファス酸化物半導体薄膜トランジスタに関する総説が”Handbook of Visual Display Technology 2nd edition”の一部として出版されました

主な受賞歴

  • 2005年
    フジサンケイグループ 独創性を拓く 先端技術大賞 企業・産学部門 特別賞
  • 2007年
    科学技術分野の文部科学大臣表彰 若手科学者賞
  • 2013年
    日本セラミックス協会 学術賞
  • 2015年
    SID Special Recognition Award
  • 2016年
    日本セラミックス協会 日本セラミックス大賞

主な論文

  • Kim, J., Sekiya, T., Miyokawa, N., Watanabe, N., Kimoto, K., Ide, K., Toda, Y., Ueda, S., Ohashi, N., Hiramatsu, H., Hosono, H. & Kamiya, T.: Conversion of an ultra-wide bandgap amorphous oxide insulator to a semiconductor, NPG Asia Mater. 9 (2017) e359-1 – 7.
  • Kim, J., Miyokawa, N., Ide, K., Toda, Y., Hiramatsu, H., Hosono, H. & Kamiya, T.: “Room-temperature fabrication of light-emitting thin films based on amorphous oxide semiconductor, AIP Advances 6 (2016) 015106-1 ~ 8 (2016).
  • Ran F.-Y., Xiao Z., Toda Y., Hiramatsu H., Hosono H. & Kamiya T.: n-type conversion of SnS by isovalent ion substitution: Geometrical doping as a new doping route, Sci. Rep. 5 (2015) 10428-1 ~ 8.
  • Hanyu, Y., Domen, K., Nomura, K., Hiramatsu, H., Kumomi, H., Hosono, H. & Kamiya, T.: Hydrogen Passivation of Electron Trap in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors, Appl. Phys. Lett. 103 (2013) 2012114-1 ~ 3.
  • Nomura, K., Kamiya, T. & Hosono, H.: Ambipolar Oxide Thin-Film Transistor; Adv. Mater. 23 (2011) 3431-3434.
  • Ide, K., Kikuchi, Y., Nomura, K., Kimura, M., Kamiya, T. & Hosono, H.: Effects of Excess Oxygen on Operation Characteristics of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors; Appl. Phys. Lett. 99 (2011) 093507-1 – 3.
  • Kamiya, T., Nomura, K. & Hosono H.: Present status of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistor, Sci. Technol. Adv. Mater. 11, pp. 044305-1 ~ 23 (2010) 044305-1 ~ 23.
  • Hsieh, H.-H., Kamiya, T., Nomura, K., Hosono, H. & Wu, C.-C.: Mdeling of amorphous InGaZnO4 thin film transistors and their subgap density of states, Appl. Phys. Lett. 92 (2008) 133503-1 – 3.
  • Nomura, K., Kamiya, T., Ohta, H., Uruga, T., Hirano, M., & Hosono, H.: Local coordination structure and electronic structure of the large electron mobility amorphous oxide semiconductor In-Ga-Zn-O: Experiment and ab initio calculations, Phys. Rev. B 75 (2007) 035212-1 ~ 5.
  • Nomura, K., Ohta, H., Takag, A., Kamiya, T., Hirano, M., & Hosono, H.: Room-Temperature Fabrication of Transparent Flexible Thin Film Transistors Using Amorphous Oxide Semiconductors, Nature (London) 432 (2004) 488 ~ 492.
  • Nomura, K., Ohta, H., Ueda, K., Kamiya, T., Hirano, M., & Hosono, H.: Thin film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxide semiconductor, Science 300 (2003) 1269-1272.